1. 반도체공학과 (반도체시스템공학과)에 지원한 이유는 무엇인가요?
▣답변예시
네, 반도체공학과(반도체시스템공학과)는 미래 기술분야의 근간을 이루는 학문이라고 생각하기 때문입니다. 특히 여러 제품에서 핵심적 역할을 하고 있는 반도체의 작동원리, 반도체 설계, 제조에 필요한 공정이나 과
반도체공정 및 MEMS 공정에 필요한 전극 제작에 주로 사용되며, 이외에도 다양한 용도에 응용될 수 있다. 박막 증착시 박막 두께 측정 센서를 통해 박막의 두께를 확인하며 공정을 진행할 수 있다. 2cm*2cm의 조각 웨이퍼에서부터 4" 웨이퍼까지 가능하다.
<그림 3> E-Beam
Electron beam source인 hot filament에
공정인 임프린트 공정이 있고, 둘째로 임프린트 공정 후 남은 잔여층(residual layer)을 제거하는 패턴 트랜스퍼(Pattern transfer) 공정으로 나누어진다. 또한 NIL 기술은 그 방법에 따라 Thermal- 또는 UV-NIL 두 가지로 분류할 수 있다. 2006년 4월 전자공학회지 제33권 제4호, 연세대학교, 강신일
2. Thermal-NIL(Nan
방법으로, 많이 이용되고 있는 기술입니다. 초크랄스키법을 간단히 살펴보면, 다결정 실리콘을 도가니에 넣고 가열하여 녹입니다. 이 후, 단결정 실리콘(seed)을 내려서 녹아있는 실리콘 용액 위 표면에 접촉시키고 단결정 실리콘(seed)을 천천히 끌어올리는데요, 이때, 단결정 실리콘(seed)이 끌어올려지면
제작할 소자이다.
3. 실험이론
Si-wafer
① Si의 특성
실리콘은 일반적으로 규소-규소 결합이 아주 불안정하기 때문에 산화물 실리콘(SiO2)으로 모래, 암석, 광물 등의 형태로 존재한다. 이들은 지각의 1/3정도를 구성하고 있어 지구상에서 매우 풍부하게 존재하고 있으며, 따라서 반도체 산업에 매
방법을 말한다. 다른 증착법과는 다르게 저온에서 간단히 박막을 증착할 수 있는데, 다음과 같이 여러 증착법이 있다.
스퍼터링(Sputtering), 전자빔 증착법 (E-beam evaporation), 열 증착법(Thermal
evaporation), 레이저분자빔 증착법 (L-MBE, Laser Molecular Beam Epitaxy), 펄스 레이저 증착법(PLD, Pulsed Laser Deposition) 등이
반도체에서 다수 캐리어인 정공 대신 소수 캐리어인 자유전자가 많아진 이 현상을 반전이라고 부른다. 반전 층을 형성시키기 시작하는 VG전압을 문턱전압이라 하고, VT라고 표시한다.
② 증착방법의 종류와 원리
(a) 증착방식
ⓐ PVD (Physical Vapor Deposition) PVD에 해당하는 증착법에는 스퍼터링(Sputter
flow)로서 산소나 수증기 등의 반응기체는 운반기체(carrier gas)에 섞여 기체 혼합물로 공급되며, 웨이퍼 근처까지 도달한 이후에는 주로 기체 및 고체 상태 확산에 의해 물질 전달되어 진다. 열 산화 공정은 반응공학적인 측면에서 볼 때 전형적인 기체-고체 반응(gas-solid reaction) 시스템이라 할 수 있다.
방법 : 수평연속 주조공정방법으로 리드 프레임을 제작 하고자 한다. 수평연속 주조공정은 용탕을 보온로에 주입하여 수냉흑연 다이중에서 응고시켜 연속적으로 프레임을 제작하는 방법.
장점 : 자중에 의한 압탕작용으로 기포가 없는 조밀한 제품 생산가능. 설비자체 가격이 적고 공간을 적게 차지